Nieuws - 13/05/19

Soitec breidt zijn gamma engineered substraten uit met GaN (Gallium Nitride) door de overname van EpiGaN nv

Overname versnelt penetratie van Soitec in snelgroeiende marktsegmenten 5G, powerelektronica en sensoren

Bernin (Grenoble), Frankrijk, 13 mei 2019 – Soitec (Euronext Parijs), marktleider voor het ontwerp en de productie van innovatieve halfgeleidermaterialen, kondigde vandaag aan dat het een definitieve overeenkomst heeft gesloten voor de overname van EpiGaN, een toonaangevende Europese leverancier van GaN epitaxiale wafer (epi-wafer) materialen, voor 30 miljoen euro cash, plus een extra earn-out-betaling na de voltooiing van bepaalde mijlpalen. De GaN-producten van EpiGaN worden voornamelijk gebruikt in RF 5G, vermogenselektronica en sensortoepassingen en de totale markt van GaN-technologieën wordt op 500.000 tot 1 miljoen wafers per jaar geraamd binnen de vijf jaar.

"GaN-technologie is erg in trek in de RF- en energiemarkt. GaN epi-wafers sluiten strategisch perfect aan bij het huidige gamma engineered substraten van Soitec”, zegt Paul Boudre, CEO van Soitec. "De overname van EpiGaN vormt een uitbreiding van en een aanvulling op de portefeuille van Soitec naast silicium om nieuwe procesoplossingen met toegevoegde waarde te creëren voor zowel RF 5G- als powersystemen.”

In mobiliteit is de co-optimalisering van prestaties, een laag energieverbruik en kosten van essentieel belang. Met de komst van 5G sub 6GHz en mmW ontstaan er nieuwe generaties basisstations die energiezuinigere, beter presterende, kleinere en goedkopere vermogensversterkers (PA) nodig hebben in vergelijking met 4G. Soitec zal zijn substratenaanbod voor PA uitbreiden met GaN en het voortouw nemen in de kleinere, lichtere, efficiëntere en kosteneffectieve PA-ontwerpen van vandaag.

"EpiGaN staat al jaren bekend om zijn sterke expertise in GaN en heeft een technologie ontwikkeld die klaar en geoptimaliseerd is voor 5G-breedbandnetwerktoepassingen", zegt medeoprichter en CEO van EpiGaN, Dr. Marianne Germain. “EpiGaN’s technologie biedt Soitec de unieke kans om efficiënt productoplossingen te ontwikkelen voor nieuwe snelgroeiende markten, zoals RF-apparaten, efficiënte power switching-apparaten en sensoren."

"De door EpiGaN ontwikkelde GaN-technologie opent heel wat perspectieven voor de toekomst en we zijn ervan overtuigd dat Soitec een uitstekende partner is om het volledige potentieel van EpiGaN verder te ontwikkelen", zegt Katleen Vandersmissen, bestuurder van EpiGaN en vertegenwoordiger van de Limburgse investeringsmaatschappij (LRM).

Daarnaast creëert de overname van EpiGaN ook nieuwe aanvullende groeimogelijkheden voor de bestaande Power-SOI-producten van Soitec en het gebruik van GaN in het ontwerp van vermogenstransistors. Zowel Power-SOI als GaN voldoen aan de eisen voor de integratie van hoogspannings- en analoge functies in intelligente, energiezuinige en zeer betrouwbare vermogens-IC-apparaten, voor gebruik in consumentenelektronica, datacenters, de auto- en industriële sector. EpiGaN zal worden geïntegreerd als een business unit van Soitec.